Вот и я удивился, когда узнал о выходе новой оперативы с !!!DDR 3!!!
Об DDR1, DDR2, DDR3. В чём отличия и преимущества - попытался разобраться :

Память DDR3 по-прежнему использует технологию удвоенной передачи данных, когда биты передаются и на подъёме сигнала, и на падении, что позволяет удвоить эффективную пропускную способность. Впрочем, у памяти есть так называемые буферы предварительной выборки (prefetch buffers), которые используются для сбора данных, чтобы быстрее передавать их на интерфейс. У DDR1 ширина буфера составляет 2 бита (режим DDR, без буферизации), DDR2 работает с 4-битными буферами, а DDR3 - с 8-битными. В этом кроется путь для увеличения производительности памяти, но и задержки тоже возрастают: память DDR1 работает с задержками CAS 2, 2,5 и 3 такта. DDR2 работает с задержками CL 3, 4 или 5 тактов. У DDR3 задержки CL увеличились до 5-8 тактов. То есть для заполнения буферов требуется время. По этой причине не следует ожидать, что память DDR3 с самого начала будет обгонять DDR2. Память DDR2-533 на CL 3 тоже не могла обойти DDR1-400 в реальных приложениях.

Каждое поколение DDR отличается более высокими задержками памяти, что обусловлено ростом ёмкости с переходом на следующий техпроцесс. Массовая память DDR1 отличалась ёмкостью 512 Мбайт на модуль (общая ёмкость 1 Гбайт). У DDR2 оптимальной оказалась ёмкость 1 Гбайт на модуль (общая ёмкость 2 Гбайт). Как можно предположить, память DDR3 даст 2 Гбайт на модуль (4 Гбайт в сумме) к середине 2008 года. По спецификациям JEDEC память DDR3 должна работать с напряжением по умолчанию 1,5 В. Напомним, что напряжение памяти DDR2 составляет 1,8 В, а DDR1 - 2,5 В. Впрочем, многие производители памяти повышают напряжение, чтобы снизить задержки и обеспечить более высокую производительность. История с памятью DDR3 повторяется.

Новые планки относятся к категории DDR2-667 CL5 (PC2-5300) с аппаратной коррекцией ошибок (ECC) и предназначены для высокопроизводительных серверов и рабочих станций, построенных на базе процессоров AMD Opteron. До выхода 8-Гб продуктов ассортимент производителя с многолетним опытом работы на серверном рынке возглавляли 4-Гб модули DDR2-667 ECC Registered DIMM. Для серверов на процессорах Intel Xeon самыми ёмкими остаются полностью буферизированные (FB-DIMM) модули DDR2-667/533 объёмом 4 Гб.

Новые планки от Apacer основаны на тщательно отобранных DRAM-чипах с организацией 256Mx4, выпущенных компанией Elpida Memory с использованием норм 70-нм техпроцесса. Данные микросхемы позволили создать передовые продукты, сочетающие в себе высокую ёмкость, экономичность, стабильность и надёжность. Перед тем, как покинуть заводское помещение, оперативная память от тайваньского производителя проходит комплекс строгих тестов, в том числе в условиях, приближённых к реальной работе. Кроме того, выпускаемые продукты подвергаются различным испытания на стойкость к внешнему электрическому, механическому и температурному воздействию. Пресс-служба компании особо отмечает, что её модули памяти сертифицированы лабораторией CMTL (Computer Testing Labs).

Основные характеристики новых 8-Гб модулей от Apacer:
- Тип модулей: DDR2-667 ECC Registered DIMM;
- Код продукта: 78.C1GA1.42D;
- Объём: 8 Гб;
- Задержка CAS CL5;
- DRAM-чипы Elpida с организацией 256Mx4;
- Технология производства чипов: 70 нм;
- Напряжение питания: 1,8 В (± 0,1 В);
- Число контактов: 240;
- Высота печатной платы: ~54 мм;
- Гарантия производителя на весь жизненный цикл;
- Соответствие стандарту RoHS.